Технологические инновации

Специализация на разработке, производстве, продаже и обслуживании полупроводниковой термоэлектрической холодильной техники.

BiTe-нанокристаллические термоэлектрические материалы

BiTe-нанокристаллические термоэлектрические материалы

После обсуждения и сотрудничества с известными научно-исследовательскими институтами, после трех лет научных и технологических исследований, научно-техническая команда Хунчан наконец-то разработала комплект оборудования для производства нанокристаллических термоэлектрических материалов BiTe. Он охватывает синтез формулы BiTe, производство нанокристаллических термоэлектрических материалов, штамповку, образование кристаллических блоков, интеллектуальное снижение напряжения и другое интеллектуальное оборудование, полностью обладает независимыми правами интеллектуальной собственности и является первым крупным заводом в Китае, применяющим «активированное спекание плазмы под напряжением и разрядом». Новая технология производства нанокристаллических термоэлектрических материалов BiTe, он может производить 30 тонн полупроводниковых термоэлектрических синтетических материалов каждый год, всесторонне улучшая электрические характеристики полупроводниковых термоэлектрических чипов более чем на 15%, достигнув передового уровня в международной отрасли.

Магнитно-управляемый распыляемый термоэлектрический материал BiTe

Магнитно-управляемый распыляемый термоэлектрический материал BiTe

Интеллектуальная электрическая производственная линия с магнитным распылением, разработанная научно-технической командой Hongchang, является экологически чистой и энергосберегающей, ускоряя напряжение: 300 ~ 800 В, магнитное поле около: 50 ~ 300G, давление воздуха: 1 ~ 10 m Torr, плотность тока: 4 ~ 60mA/cm, плотность мощности: 1 ~ 40 Вт/см, для термоэлектрических материалов системы BiTe для прилипания частиц слоя никеля, это первая отечественная технология «магнетронного распыления», применяющая новую технологию для прилипания частиц никеля на поверхности нанокристаллического термоэлектрического материала системы BiTe, блокирующий слой покрывает тонкую и однородность. Комплексное улучшение производительности полупроводниковых термоэлектрических чипов более чем на 15%.